图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| 包装 | 3TO-247 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 最大连续漏极电流 | 43.3 A |
| RDS -于 | 80@10V mOhm |
| 最大门源电压 | 20 V |
| 典型导通延迟时间 | 20 ns |
| 典型上升时间 | 18 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 85 ns |
| 典型下降时间 | 6 ns |
| 工作温度 | -40 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 工厂包装数量 | 240 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3.5 V |
| 宽度 | 5.21 mm |
| Qg - Gate Charge | 161 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | +/- 20 V |
| 下降时间 | 6 ns |
| 安装风格 | Through Hole |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 1 Channel |
| 商品名 | CoolMOS |
| 配置 | 1 N-Channel |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 43.3 A |
| 长度 | 16.13 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 72 mOhms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 系列 | CoolMOS CFDA |
| 身高 | 21.1 mm |
| 封装 | Tube |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| Pd - Power Dissipation | 391 W |
| 上升时间 | 18 ns |
| 技术 | Si |
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